中國粉體網訊  化學機械拋光（CMP）技術能夠消除芯片表面的高點及波浪形。CMP通過拋光液中化學試劑的化學腐蝕和機械磨削的雙重耦合作用，在原子水平上去除表面缺陷，獲得全局平坦化表面，因此，拋光液對拋光效果起到至關重要的影響。 CMP工藝  來源：何潮等，半導體材料CMP過程中磨料的研究進展CMP拋光液作為影響化學機械拋光質量和拋光效率的關鍵因素，其組分一般包括磨料、氧化劑和其它添加劑。添加劑一般包括絡合劑、螯合劑、緩蝕劑、表面活性劑，以及pH調節(jié)劑等。通常根據被拋光材料的物理化學性質及對拋光性能的要求，來選擇所需的成分配置拋光液。 化學機械拋光液各組分  來源：王東哲等，化學機械拋光..【詳細】