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即時檢測
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板于減薄制程中的厚度變化
(強酸環境中)
產品特色
非接觸式、非破壞性光學式膜厚檢測
采用分光干涉法實現高度檢測再現性
可進行高速的即時研磨檢測
可穿越保護膜、觀景窗等中間層的檢測
可對應長工作距離、且容易安裝于產線或者設備中
體積小、省空間、設備安裝簡易
可對應線上檢測的外部信號觸發需求
采用*適合膜厚檢測的獨自解析演算法。(已取得**)
可自動進行膜厚分布制圖(選配項目)
規格式樣
SF-3 | |
|---|---|
膜厚測量范圍 | 0.1 μm ~ 1600 μm※1 |
膜厚精度 | ±0.1% 以下 |
重復精度 | 0.001% 以下 |
測量時間 | 10msec 以下 |
測量光源 | 半導體光源 |
測量口徑 | Φ27μm※2 |
WD | 3 mm ~ 200 mm |
測量時間 | 10msec 以下 |
※1 隨光譜儀種類不同,厚度測量范圍不同
※2 *小Φ6μm
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