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等離子沉淀設備

等離子沉積設備SI 500 D

產品介紹高端ICPECVD設備SI 500 D為基于等離子體的沉積工藝提供了優異的性能。使用PTSA ICP等離子體源產生的高密度PECVD沉積高質量的介質膜和硅膜。平行板三螺旋天線（PTSA）保證了沉積薄膜的優異性能，如在非常低的沉積溫度下（＜100°C）實現低刻蝕速率，低應力和低界面態密度。特點 *高密度等離子體

*平行板ICP等離子體源

*優異的沉積性能

*動態溫度控制

帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD

產品介紹靈活的PECVD系統SI 500 PPD具有多種標準的等離子沉積工藝。用電容耦合等離子體沉積 SiO2、SiNx、 SiOxN揷口a-SL靈活的設計允許使用氣態或用于PECVD的液體前驅體TEOS。特點 *工藝靈活性

*預真空室

*SENTECH控制軟件

PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200

產品介紹直接置片的PECVD設備Depolab 200結合了成本效益的直接載片和平行板等離子體源在一起的基本的，緊湊的設計。易于使用的直接載片系統實現了用戶友好的批量工藝（使用載片器或直接加載到襯底電極）。智能的PECVD系統可以升級，以達到提高性能的需求。特點 *低成本效益高

*升級擴展性

*SENTECH控制軟件

原子層沉積設備

SENTECH ALD

產品介紹

ALD設備可以配置為用于氧化物、氮化物和金屬沉積。三維結構具有出色的均勻性和保行性。利用ALD、 PECVD和ICPECVD， SENTECH提供等離子體沉積技術，用于從納米尺度沉積到數微米的薄膜沉積。特點 *簡易的腔體清洗

*集成手套箱

*節省前驅體

*前驅體控制

等離子沉淀設備

正片晶片掃描MDPinline

優勢在不到一秒的時間內，實現對一個晶片全電子晶片特性的測量，測量參數：少子壽命（全形貌），電阻率（兩行掃描），迄今為止還沒有看到工藝控制、良率和工藝改進的效率允許極快地增加新的生產或工藝，因為來自數千個晶片的統計信息是在非常短的時間內獲得的。適合于測量出料或進料晶片的材料質量，以及在晶片級別內識別結晶問題，例如在光伏行業.適用于擴散工藝的完整性控制、鈍化效率和均勻性控制。

快速自動掃描系統MDPinline ingot

優勢測量速度，用于先進的光伏工廠的在線多晶硅表征。用1毫米分辨率測量少子在兩塊上的壽命。同時測量了導電類型變化的空間分辨測量和電阻率線掃描.客戶定義的切割標準可以傳送到工廠數據庫，該數據庫允許為下一代光伏工廠進行全自動材料監測。從而實現了材料質量控制，監測爐的性能，以及失效分析.特殊的"表面以下”測量技術大大減少了由表面復合造成的數據失真。

激光掃描系統MDPpro

優勢

機或晶圓的整體工具系列•少子壽命、光電導率、電阻率、p/n導電類型變化和幾何樣品平整度的同時自動掃描.對于156x156x400mm標準磚，測量速度小于4分鐘，分辨率為1mm，所有5幅測量圖形同時繪制。堅固耐用的設計和易于設置的性能.對于安裝，僅需要電源。帶有數據庫的工作站包含。