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靈敏度：對半導體材料電學缺陷有**靈敏度
溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數等
重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據不同材料選擇不同波長激發光源
可訪問性：基于IP的系統允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持
圖2.不同缺陷的評價 圖3.Arrhenius曲線圖
從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。利用這種新型MDPpicts設備，可在20~500k范圍內測量溫度依賴性的瞬態光電導。Si， GaAs， InP， SiC和其他很多半導體材料已成功采用了這種方法進行研究。
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