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6英寸導電型4H-SiC襯底
直徑：150 ± 0.2 mm
厚度：350 ± 25μm
（襯底減薄>100μm）
導電類型：n-type
應用方向：SiC同質外延
產品類型：拋光片（Epi-ready）
2~ 8" N-tybe SiC substrate
碳化硅（ SiC ）是一種性能優越的新型化合物半導體材料。碳化硅半導體具有大禁帶寬度（約為硅的3倍）、高臨界場強（約為硅的10倍）、高熱導率（約為硅的3倍）等優良特性，是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件（電力芯片）的理想半導體材料。同時，也是僅次于鉆石的優良的半導體材料。
技術優勢
晶體利用率高，成本低 品質達到P-MOS級
采用PVT長晶法
籽晶粘結成功率接近100%
平均生長速度0.13-0.16mm/h
長晶良率高于行業水平
加工良率達到90%
有效的降低了單片成本。
SiC 晶錠一致性非常優秀
晶片表面粗糙度0.075納米
位錯缺陷達到MOSFET功率器件要求
第三代半導體材料可以滿足現代社會對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，且其擁有體積小、污染少、運行損耗低等經濟和環保效益，因此第三代半導體材料正逐步成為發展的重心。當前主流的第三代半導體材料為碳化硅與氮化硅，前者多用于高壓場合如智能電網、軌道交通；后者則在高頻領域有更大的應用（5G等）。
目前我們提供標準的N型碳化硅襯底晶片。用于肖特基二極管（ SBD )、金屬氧化物半導體場效應晶體管（ MOSFET )、結型場效應晶體管（ JFET ）和雙極結型晶體管（ BJT ）的制作。這些電力電子器件可廣泛應用于包括 太陽能逆變器、風力發電儲能、混合動力、電動汽車、充電樁、智能電網、家用電器等綠色能源和節能系統。
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