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技術優勢
晶體利用率高，成本低 品質達到P-MOS級
采用PVT長晶法
籽晶粘結成功率接近100%
平均生長速度0.13-0.16mm/h
長晶良率高于行業水平
加工良率達到90%
有效的降低了單片成本。
SiC 晶錠一致性非常優秀
晶片表面粗糙度0.075納米
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