緊湊型設計,占地面積僅為 46”x44”,不銹鋼立柜。
工藝過程通過觸摸屏 PC 和 LabView 軟件,可實現全自動的 PC控制,具有高度的可重復性,且具有友好的用戶界面。
系統具有完整的安全聯鎖,提供四級密碼授權訪問保護,含:
。操作者權限:運行程序
。 工藝師權限:添加/編輯和刪除程序
。 工程師權限:可獨立控制子系統,并開發程序
。服務權限:NM 工程師故障診斷和排除
真空系統包含渦輪分子泵和機械泵,極限真空可達到 5 x10-7Torr。渦輪分子泵與腔體之間的直連設計,系統可獲得**的真空傳導率,基本可以達到 15 分鐘可達到工藝真空,8 小時達到腔體極限真空。腔體壓力調節通過 PC 自動控制渦輪速度而全自動調節,快速穩定。
在**個腔體中通過離子束可達到原子級的清洗,離子源安裝在腔體頂部,離子源配套 2KV,300mA 的電源。樣品臺配套 4”或 6”基片夾具、水冷,并可對著離子束流實現+900C 到-900C 旋轉。系統配套氣動遮板,使得工藝運行前穩定離子束流。
根據應用需要可以升級離子源,以支持更大尺寸晶圓片的處理。
第二個腔體可以根據應用需要配套 ALD、PECVD、磁控、電子束蒸鍍、熱蒸鍍等鍍膜。
膜厚監控儀校準后可實現原位膜厚測量,可以工藝時間或工藝膜厚為工藝終點條件,系統支持設定目標膜厚,當達到設定的目標膜厚時全自動結束工藝。水冷保護晶振夾具,膜厚和沉積速率以及晶振壽命可顯示,可存儲高達 100 個膜厚數據。
系統的兩個腔體均配套單片的 Auto L/UL,可實現自動進樣、對準、出樣,在不間斷工藝真空情況下連續處理樣片。Load Lock腔體帶獨立真空系統和真空計,通過 PC 全自動監控。兩個腔體之間可以互相傳送樣片。整個過程計算機全自動控制。
應用:
。光學鍍膜
。 Sputterint 濺射
。IBAD 離子束輔助沉積
。離子束刻蝕清洗
。 離子束輔助反應性刻蝕
。 紅外鍍膜
。表面處理
設備特點:
。RF 射頻偏壓樣品臺
。 膜厚原位監測
。 極限真空 5 x 10-7Torr
。 **的真空傳導率設計,具有快速真空能力
。 PC 全自動控制,超高的精度及可重復性
。 高質量薄層
。原子級的超凈表面
。 原子級清洗和拋光
。 LabView 軟件的 PC 控制系統
。 自動上/下載片
。 兩個腔體可以分別獨立使用并實現自動上下載片
。 兩腔體之間自動傳送,雙向傳送支持
。 菜單驅動,密碼保護
。 安全互鎖
。 占地面積 46”D x 44”W
系統可選:
。 向下/向上濺射
。共濺射
。DC, RF 以及脈沖電源
。離子束輔助沉積
。 電子束源
。熱蒸鍍
。等離子源
。 ALD 沉積或 PECVD 沉積