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牛津ICP等離子沉積機PlasmaPro 80 ICPCVD

PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

。直開式設計允許快速裝卸晶圓

。出色的刻蝕控制和速率測定

。出色的晶圓溫度均勻性

。晶圓**可達200mm

。購置成本低

。符合半導體行業 S2 / S8標準

應用:

· III-V族刻蝕工藝

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

· 類金剛石

· 類金剛石（DLC）沉積

· 二氧化硅和石英刻蝕

· 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片， 裸晶片，以及200mm晶圓

· 高質量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途

· 用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕

系統特點:

· 小型系統——易于安置

· 優化了的電極冷卻——襯底溫度控制

· 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率

· 增加<500毫秒的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

· 近距離耦合渦輪泵——提供優越的泵送速度加快氣體的流動速度

· 關鍵部件容易觸及——系統維護變得直接簡單

· X20控制系統——大幅提高了數據信息恢復功能， 同時可以實現更快更可重復的匹配

· 通過前端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快

· 用干涉法進行激光終點監測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

· 用發射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監測—— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監測