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快速熱化學氣相沉積系統 (RTCVD)
生產商：韓國Ecopia
RTCVD快速熱化學氣相沉積設備廣泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常見半導體薄膜的沉積和制備。
性能和特點：
- 溫度范圍：室溫 ~ 1500°C;
- 升溫速度：200°C/s;
- 氣體混合能力(帶有質量流量計);
- 真空度：~10-6Torr;
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