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μAMOS紅外共焦激光失效分析儀
μAMOS紅外共焦激光失效分析儀

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日本

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濱松光子學商貿(中國)有限公司

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紅外-光致阻值改變(IR-OBIRCH)分析系統“μAMOS”是一款半導體失效分析儀,使用IR-OBIRCH方式來定位漏電流路徑和LSI器件中的異常阻抗接觸部件。在特定頻率下,使用lock-in單元來探測OBIRCH信號可大大提高信噪比。而且,通過使用大電流探針頭,也可以對大電流高電壓工作的器件進行分析。

特性

  • 圖像空間分辨率高

  • 背面觀測(λ=1.3 μm)

  • 可觀測高摻雜基底(Epi-sub)

  • 使用紅外激光(λ=1.3 μm)意味著在半導體視場內不會產生OBIC信號,因此可探測到缺陷引發的OBIRCH信號

  • 可以測量4象限電壓/電流

  • 可升級到微光顯微鏡(選配)

應用

  • 漏電流路徑定位

    • IDDQ失效分析

  • 金屬缺陷探測

    • 金屬線缺陷探測(空,硅節)

    • 觸控(過孔)異常阻抗部件探測

    • 金屬化過程監控

*:IDDQ (Quiescent power supply current,靜態供電電流):IDDQ為MOS管開關完成后流過的靜態供電電流。

參數

產品名稱uAMOS-1000
尺寸/重量主單元:1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg

控制臺:880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg

選配桌:1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg

線電壓AC220 V (50 Hz/60 Hz)
功耗約 3000W
真空度約80 kPa或更大
壓縮空氣0.5 MPa to 0.7 MPa

可用器件

晶片*前面切塊后的芯片到300mm晶片
背面200/300 mm晶片(其他尺寸晶片可通過增加選配來處理)

*:與選用探針的規格有關

封裝后IC前面芯片打開到表面的IC
背面鏡面拋光到硅基底的IC

紅外共焦激光顯微鏡

掃描速度(秒/圖)
512×5121248
1024×102424816

激光*

1.3 μm激光二極管輸出: 100 mW
1.3 μm高功率激光器(選配)輸出: 超過400 mW
1.1 μm脈沖激光器(選配)輸出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse)

*: For 1.3 μm laser, one of two laser can be integrated.

光平臺移動范圍*

X±20 mm
Y±20 mm
Z75 mm

*:由于探針或者樣品平臺的阻礙,該值肯會更小

透鏡放大

一個轉臺可選透鏡數達5個。

透鏡數值孔徑WD (mm)視場μAMOS-1000
1×: A7649-010.032013×13標配
2×: A80090.055346.5×6.5選配
M-PLAN-NIR-5×: A11315-010.1437.52.6×2.6標配
M-PLAN-NIR-20×: A11315-030.40200.65×0.65標配
M-PLAN-NIR-50×: A11315-040.42170.26×0.26選配
NIR 50×: A8756-0120.4218.30.26×0.26選配
High NA50×: A8018120.76120.26×0.26選配
M-PLAN-NIR-100×: A11315-050.50120.13×0.13標配
NIR 100×: A8756-0220.5013.30.13×0.13選配
M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-0610.70100.13×0.13選配
G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-08120.7060.13×0.13選配

1:用1來標記的鏡頭有兩種可選

2:用2來標記的鏡頭帶玻璃厚度補償功能

獲取OBIRCH圖像

電壓固定型電流固定型微電流放大器
施加電壓±10 mV to ±10 V±10 mV to ±10 V±10 mV to ±25 V
**電流100 mA100 mA100 μA
探測率1 nA11 μV23 pA1

1:為輸入放大器的**可探測脈沖信號

2:計算值

外形圖(單位:mm)

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產品質量

10分

售后服務

10分

易用性

10分

性價比

10分
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