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mini是一款發熱顯微鏡，配備了高靈敏度InSb相機，可探測半導體器件的內部發熱。通過將高精度熱探測器探測到的發熱圖與模板圖像疊加，可高精度地識別失效位置。
特性
高靈敏度是通過以下方式獲得的：
InSb相機在3 μm到5 μm波段內具有高靈敏度
專為3 μm 到 5 μm波段優化的鏡頭設計
使用lock-in功能（選配）實現低噪聲
使用斯特林循環冷卻器實現高制冷性能
噪聲等效溫差(NETD)只有20mK
高分辨率是通過以下方式獲得的：
InSb相機為640 × 512像素（像素尺寸：15μm）
可選擇熱納米鏡頭(選配)
使用窗口功能，可獲得高速探測能力
視頻功能
連接測試機，可獲得動態分析功能
系統結構靈活，可進行微觀到宏觀的觀測
與PHEMOS、μAMOS系列一樣具有用戶友好型操作
全系列的選配選項
應用
金屬布線短路
接觸孔異常
氧化物層微等離子體泄露
氧化物層擊穿
TFT-LCD泄露/有機EL泄露定位
器件開發過程中溫度異常監測
器件和PC板的溫度映射
溫度測量功能
在器件設計早期，通過獲取器件工作時的溫度信息，反饋回設計流程，可以縮短器件驗證時間，也可增強產品可靠性。在觀測基于工作環境的溫度行為改變上，該功能也很有用。通過增加U11389溫度測量功能，便可以方便地獲得該測量功能。
宏觀分析
新研發的0.29×紅外鏡頭可提供無水仙現象、無陰影的清晰視場圖像。
熱納米鏡頭系統（Thermal NanoLens System）
熱納米鏡頭系統因為高數值孔徑，大大提高了光校正效率和分辨率。通過在樣品（即便樣品表面平整度很差）和透鏡之間施加顯微鏡浸潤油來獲取高數值孔徑。使用操縱器來簡化納米透鏡系統的設計，可使工作設備的更新更簡單。
LSI測試機對接
半導體器件變得越來越復雜，因此必須通過與LSI測試機對接來初始化采樣測量、設置特殊條件。安裝專用探針卡適配器后，可以用線纜與LSI測試機對接，執行分析。
激光標記
在定位后的失效點附近進行標記，或者在失效點周圍的四個點進行標記，可以輕松地將失效點的位置信息傳輸到其他的分析設備上。
測量示例
案例研究：封裝器件觀測
案例研究：對器件一側開口進行失效層觀測
案例研究：CMOS觀測
發現凸球下的缺陷
案例研究：PCB和封裝器件之間的布線失效
在打開封裝之前觀測熱源；打開封裝以后獲取相位圖像以縮小熱源范圍。
參數
| 尺寸/重量 | 880 mm(W)×840 mm(D)×1993 mm(H)， Approx. 450 kg PC桌：700 mm(W)×700 mm(D)×700 mm(H)， Approx. 50 kg |
| 線電壓 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耗 | 約 700W |
| 真空度 | 約80 kPa或更大 |
| 壓縮空氣 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
系統配置
| C9985-04 InSb相機 | 標配 |
| 自動平臺控制 | 手動 |
| 標準透鏡 | 0.8×、4×、15× |
| 樣品平臺 | HPK 平臺 (8英寸) |
| 探測目鏡 | 標配 |
| 探測鏡頭 | NIR 5× |
| 抗震桌 | 標配 |
| THEMOS分析軟件 | 標配 |
| FOV（mm） | 12×9.6 to 0.64×0.51 |
| 目標 | PCB*，晶片(可達12英寸)，Si 片， 封裝 |
*：集成0.29×物鏡時。
功能
| 熱lock-in測量 | 選配 |
| 3D-IC測量 | 選配 |
| 熱測量功能 | 選配 |
| 熱納米鏡頭 | 選配 |
| 視頻功能 | 標配 |
| 外部觸發 | 標配 |
| 窗口功能 | 標配 |
光學系統
| 物鏡/微距鏡頭 | N.A. | WD（mm） | FOV（mm） | 配置 |
| MWIR 0.29× | 0.048 | 12 | 33×26td> | 選配 |
| MWIR 0.8× | 0.13 | 22 | 12.0×9.6 | 標配 |
| MWIR 4× | 0.52 | 25 | 2.4×1.9 | 標配 |
| MWIR 8× | 0.75 | 15 | 1.2×0.96 | 選配 |
| MWIR 15× | 0.71 | 15 | 0.64×0.51 | 標配 |
| MWIR 30× | 0.71 | 13 | 0.32×0.26 | 選配 |
| M Plan NIR 5× | 0.14 | 37.5 | 2.6×2.6 | 標配 |
外形圖（單位：mm）
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