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倒置微光顯微鏡iPHEMOS系列
該儀器設計緊湊，高度僅為80cm，因此可與多種測試機方便地對接。其配備的高靈敏度InGaAs相機以及多種激光選配件擴大了其動態分析的范圍。
特性
高精度級的多相機平臺
靈活的系統設計
多種探測器，可觀測低壓工作IC
倍率從1×到100×，多種鏡頭可選（可選配10鏡頭轉臺）
背面觀測探針可測量從整個300mm晶片到單個die的范圍
簡化了測試機頭對接，便于動態分析
用戶友好型操作系統
易于升級，有利于后期應用
高分辨率模板圖像
選配
高分辨率、高靈敏度觀測用納米透鏡
使用納米透鏡可增加數值孔徑，顯著提高分辨率和光采集效率。這樣可以減少探測時間，卻可以提供更好的分辨率。
紅外-光致阻值改變（IR-OBIRCH）分析功能
極受歡迎的紅外-光致阻值改變（IR-OBIRCH）分析功能可作為選配增加到儀器中，來探測漏電流或靜態電流缺陷（leakage or IDDQ defects）等的線缺陷
使用數字lock-in組件，可提高IR-OBIRCH分析的探測功能
軟件提供的數字lock-in功能即使是很短的圖像采集時間，也可以保證獲得比模擬lock-in更清晰和銳利的圖像。
激光輻射的動態分析功能
使用激光束照射，來觀測器件工作中的狀態變化（通過或者失敗），以分析功能缺陷
序列測量軟件
通過使用者執行一套流程，該功能可自動進行微光/IR-OBIRCH觀測。連接半自動探針后，微光/IR-OBIRCH圖像可按照序列測量并保存。連接大規模集成電路測試機或者外部電源也可以進行測量。
EO探針單元C12323-01
EO探針單元是一款工具，通過使用非連續光源，透過硅基底來觀察晶體管狀態。
配置
參數
| 產品名稱 | iPHEMOS-SD |
|---|---|
| 尺寸/重量*1 | 主單元：805 mm (W)×915 mm (D)×1180 (775*2) mm (H)， Approx. 500 kg*2 控制臺：880 mm (W)×1000 mm (D)×1775 mm (H)， Approx. 200 kg |
*1：重量因配置不同而改變。
*2：高度等于iPHEMOS-SD上樣品邊緣的高度。
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