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加工材料 SiC晶錠
切割尺寸(inch) 4/6/8/
**切割厚度(mm) 50
材料損耗 100-160um
切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45
重復定位精度(μm) ±0.5
長寬高(mm) 1770×1720×1985
加工工藝
碳化硅激光垂直剝離設備采用的加工工藝是使用激光剝離取代傳統的線切割模式
加工效果
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| 剝離后6英寸半絕緣晶錠與晶圓 | 垂直剝離后8英寸導電型晶錠與晶圓 |
技術規格
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