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概要：
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是*安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
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性價比
紅外氣體傳感器 Gasboard-2060
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
XRD系列晶向定位
紅外快速退火爐系統
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