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主要特點：
設備特點：
1、占地小、穩定性高、操作與維護方便
2、可廣泛用于硅， 碳化硅， 氮化鎵，砷化鎵，玻璃等材料的涂膠顯影工藝
3、可覆蓋0.35um以上工藝需求，滿足2~6寸晶圓需求，可涂覆3~20000CP光刻膠
4、控制精度高，實時控制解決方案，Ether CAT 通訊，高精度擺臂及傳輸機構
5、自主可控的技術方案，自主開發的軟件系統，充分滿足定制化要求
主要參數:
| 主要參數 | 片盒數量 | 2&3CS |
wafer 類型 | 圓片、方片 | |
| wafer 尺寸（mm） | 50-150 | |
| 產能（WPH） | 110 | |
| 襯底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4 | |
| 適用工藝 | g-line、i- line、PI |
設備特點：
1、占地小、穩定性高、操作與維護方便
2、可廣泛用于硅， 碳化硅， 氮化鎵，砷化鎵，玻璃等材料的涂膠顯影工藝
3、可覆蓋0.35um以上工藝需求，滿足2~6寸晶圓需求，可涂覆3~20000CP光刻膠
4、控制精度高，實時控制解決方案，Ether CAT 通訊，高精度擺臂及傳輸機構
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