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一、設備概述：
主要應用于 3-6 英寸磷化銦、磷化鎵III-V 族化合物半導體晶體材料單晶生長工藝，自動控制系統。
二、設備參數類型：
設備性能指標 | ||
1 | 操作方式 | 手動 |
2 | 管路數 | 1管 |
3 | 加工晶圓尺寸 | 4-6寸 |
4 | 適用工藝 | 單晶生長 |
5 | 工藝溫度范圍 | 800-1250℃ |
6 | 恒溫區長度 | 300-800mm |
7 | 控溫精度 | ±0.2℃/＞1280℃恒溫區內 |
8 | 單點溫度穩定性 | ±0.2℃ |
9 | 溫度校準功能 | 具有預先寫入偏差值快速拉溫區功能 |
10 | 進出料方式 | 手動 |
11 | 控溫模式 | Spike控溫 |
12 | 控溫點數 | 4-6點 |
13 | 真空機組： | 直連泵 |
14 | 系統極限真空度： | ＜10Pa |
25 | 抽速： | 抽至極限真空時間＜10Min。 |
16 | 高壓腔設計壓力 | 5MPa |
17 | 工作壓力范圍： | 10 mTorr~500mTorr可調 |
18 | 控制系統結構 | 一體工控機+PLC |
19 | 報警保護: | 具有超溫報警，超壓報警，斷偶報警，氣體互鎖，氣體緩啟動等功能 |
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