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該設備基于晶圓真空傳輸平臺VTM，可以靈活配備傳輸腔室和工藝腔室，工藝腔室可選配電子束蒸發腔室、分子束外延腔室、濺射腔室、熱蒸發腔室和預清洗腔室等。可實現多種材料的精確沉積。
性能參數
| 晶圓尺寸 | 8~12吋 |
| 極限真空 | 優于5×10-9mbar（工藝室PM） 優于5×10-7mbar（傳輸室TM） 優于5×10-6mbar（進樣室Load lock） |
| 工藝室 | 可選配電子束蒸發腔室、分子束外延腔室、熱蒸發腔室、預清洗室、濺射室、退火室、低溫室、蒸發室、氧化室等 |
| 傳輸室 | 可選四邊形、六邊形或八邊形腔室，可實現多個傳輸室互聯，配置雙臂或單臂機械臂，配置校準和測量裝置 |
| 進樣室 | 8或12吋晶圓，可選EFEM等前端模塊 |
| 詳細配置可咨詢業務 |
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