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生產型磁控濺射設備—MSI-100-UHV品牌
致真精密產地
安徽樣本
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生產型磁控濺射設備是針對企業和高校實驗室及小試線研發的高性能、高效率的磁控濺射裝備，該超高真空版本提供更高的濺射室真空度，兼具高性能薄膜的制備和小批量量產的需求。MSI-100-UHV型磁控濺射設備極限真空度優于1×10-8mbar，包括進樣室和濺射室，可滿足8inch晶圓上高精度納米級材料的生產制備需求。
性能參數
| 晶圓尺寸 | 8inch向下兼容 |
| 鍍膜均勻性 | 優于±3% |
| 極限真空 | 優于1×10-8mbar |
| 進樣室 | 自動傳輸，可選裝載數量，可選機械臂抓手形狀，獨立真空系統 |
| 樣品臺溫控 | 輻射加熱，RT-800℃ |
| 陰極數量 | 4個4inch |
| 電源 | DC、RF、DC Pulse |
| 占地面積 | 3m L*2m W*2m H |
| 可選 | 濺射角度、濺射方向、低溫泵、反應濺射、膜厚儀、工藝菜單等 |
六大特色 懂你所需
企業/高校性能之選
測試案列
隨著半導體行業的發展，高校實驗室和企業對于具有高性能、低成本、高效率等優點的磁控濺射裝備有著巨大需求。其中設備需要滿足在8inch晶圓上制備薄膜的均勻性。
如圖是8寸晶圓上鍍鈦膜均勻性測試。
（沉積條件：4寸靶傾斜沉積8寸晶圓，采用直接濺射或增大靶材磁村可提高至2%以內）
8寸晶圓
將750μm的單拋晶圓裂片成1cm×1cm的小樣，取九片，去邊1cm沿八寸晶圓直徑固定好，進行磁控濺射鍍鈦膜，如下圖所示。測試發現晶圓片內均勻性＜3%。
均勻性測試結果
暫無數據！
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